IRF640N Transistor MOSFET N 18 A 200 V
El IRF640N es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia, ideal para conmutación y control de cargas elevadas. Soporta hasta 18 A de corriente y 200 V de voltaje, con baja resistencia de encendido, ofreciendo eficiencia en aplicaciones de control de potencia, fuentes conmutadas y drivers de motores.
Parámetros o especificaciones clave:
- Tipo: MOSFET N de potencia
- Voltaje drenador-fuente: 200 V
- Corriente máxima: 18 A
- RDS(on): 0.18 Ω (aprox.)
- Montaje: TO-220 con orificio para disipador
- Frecuencia de conmutación: Alta velocidad
- Material: Silicio
Aplicaciones típicas:
- Control de motores DC y stepper.
- Fuentes de alimentación conmutadas y reguladores de potencia.
- Convertidores DC-DC y proyectos de electrónica de potencia.
- Control de cargas de alta corriente en sistemas DIY y profesionales.
Notas de diseño:
- Colocar disipador adecuado si se trabaja cerca del límite de 18 A.
- Asegurarse de manejar correctamente la polaridad de drenador, fuente y puerta.
- Evitar picos de voltaje superiores a 200 V.
- Usar resistencias o drivers adecuados para controlar la puerta a alta velocidad.
Dato curioso:
El IRF640N se popularizó en la década de 1990 en fuentes conmutadas y control de motores por su alta corriente soportada y confiabilidad en aplicaciones de potencia.
Use el IRF640N para conmutación eficiente y control de cargas de media-alta potencia en sus proyectos electrónicos.
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