Transistor MOSFET BS170, 0.5 A, 60 V, 0.8 W
El BS170 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de baja a media potencia. Su alta eficiencia y baja resistencia de conducción permiten conmutar cargas de hasta 0.5 A a tensiones de hasta 60 V, con una disipación máxima de 0.8 W. Este componente es ideal para proyectos electrónicos, prototipos educativos y control de cargas en circuitos digitales y analógicos.
Parámetros o especificaciones clave:
- Tipo de transistor: MOSFET N-channel
- Corriente de drenaje (Id): 0.5 A
- Voltaje drenaje-fuente (Vds): 60 V
- Potencia máxima (Pd): 0.8 W
- Resistencia Rds(on): 5 Ω típica
- Encapsulado: TO-92
- Voltaje de puerta (Vgs): ±20 V máximo
Aplicaciones típicas:
- Conmutación de cargas pequeñas y medianas en circuitos electrónicos.
- Proyectos DIY, prototipos y kits educativos de electrónica.
- Control de LEDs, relés y pequeños motores DC.
- Amplificación de señales digitales y analógicas de baja potencia.
Notas de diseño:
- Se recomienda el uso de un resistor en la puerta para limitar corriente y proteger el MOSFET.
- Encapsulado TO-92 facilita montaje en PCB y protoboard.
- La disipación máxima de 0.8 W requiere ventilación adecuada si se opera cerca del límite.
- Bajo Rds(on) asegura menor calentamiento durante la conducción de corriente.
Dato curioso:
El BS170 es uno de los MOSFET de canal N más populares en electrónica educativa y hobbyista, destacando por su fiabilidad, bajo costo y facilidad de integración en circuitos de baja potencia.
Incorpore el transistor MOSFET BS170, 0.5 A, 60 V, 0.8 W en sus proyectos electrónicos para lograr conmutación eficiente, confiabilidad y control preciso de cargas.
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